STMicroelectronics SMCJ30CA-TR
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Stock
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1,180,075
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Authorized Distributors
6
6
6
Polarity
Bidirectional
Bidirectional
Bidirectional
Number of Unidirectional Channels
-
-
-
Number of Bidirectional Channels
1
1
1
Breakdown Voltage
35.1 V
35.05 V
35.05 V
Clamping Voltage
64.3 V
48.4 V
48.4 V
Peak Pulse Power
1.5 kW
1.5 kW
1.5 kW
Peak Pulse Current
156 A
31 A
31 A
Verwandte Teile
VishayS3B-E3/57T
Vishay Rectifier diode Diodes, 3A, 100V, surface mount, DO-214AB (SMC)encapsulation, 2needle
VishayS3J-E3/57T
Vishay Rectifier diode Diodes, 3A, 600V, surface mount, DO-214AB (SMC)encapsulation, 2needle
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics SMCJ30CA-TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SMCJ Series 1500 W 35.1 V Bi Directional Surface Mount TVS Diode - DO-214AB
STMicroelectronics SMCJ30CA-TR, Bi-Directional TVS Diode, 1500W, 2-Pin DO-214AB
STMicroelectronics BidirectionalTVSDiodes, Maximum clamping voltage 64.3V, SMD mount, DO-214AB (SMC)encapsulation, Minimum breakdown voltage 33.3V
DIODE, TVS, 1500W, SMC; Product Range: TRANSZORB SMCJ Series; TVS Polarity: Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm: 30V; Clamping Voltage Vc Max: 48.4V; Diode Case Style: SMD; No. of Pins: 2Pins; Breakdown Voltage Min: 3
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMC
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Breakdown Voltage35.1 V
Capacitance2.5 nF
Clamping Voltage64.3 V
CompositionZener
DirectionBidirectional
Element ConfigurationSingle
Leakage Current200 nA
Max Breakdown Voltage33.3 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.5 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)30 V
Max Reverse Leakage Current200 nA
Max Surge Current156 A
Min Breakdown Voltage33.3 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Bidirectional Channels1
Number of Channels1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage30 V
PackagingCut Tape
Peak Pulse Current156 A
Peak Pulse Power 1.5 kW
Peak Reverse Current200 nA
PolarityBidirectional
Power Dissipation1.5 kW
Power Line ProtectionNo
Power Rating1.5 kW
Reverse Breakdown Voltage33.3 V
Reverse Standoff Voltage30 V
Schedule B8541100080
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.45 mm
Length7.15 mm
Width6.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsMIL-STD-750
REACH SVHCNo
RoHSCompliant