STMicroelectronics SMBJ100CA-TR
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6
6
6
Polarity
Bidirectional
Bidirectional
Bidirectional
Number of Unidirectional Channels
-
-
-
Number of Bidirectional Channels
1
-
-
Breakdown Voltage
117 V
117 V
117 V
Clamping Voltage
212 V
162 V
162 V
Peak Pulse Power
600 W
600 W
600 W
Peak Pulse Current
19 A
3.7 A
3.7 A
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics SMBJ100CA-TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SMAJ Series 600 W 111 V Bi-Directional Surface Mount TVS Diode - DO-214AA
Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
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SMBJ100CA-TR, BI-DIRECTIONAL TVS DIODE, 600W, 2-PIN DO-214AA
STMicroelectronics TVS, 212V, , DO-214AA (SMB), 111V
TVS Diode Single Bi-Dir 100V 600W 2-Pin SMB T/R
ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 100V Bidirect
Transient Suppression Diode (TVS)
600W TVS, 100V VRM max, SMB, RoHS
STMicroelectronics SCT
DIODE, TVS, 100V, 600W; Product Range: Transil SMBJ Series; TVS Polarity: Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm: 100V; Clamping Voltage Vc Max: 162V; Diode Case Style: SMD; No. of Pins: 2Pins; Breakdown Voltage Min: 111V; Breakdown Voltage Max: 117V; Peak Pulse Power Dissipation: 600W; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Alternate Case Style: DO-214AA; Breakover Voltage Min: 111V; Capacitance Cd @ Vr Typ: 450pF; Clamping Voltage @ 8/20µs Max: 212V; Diode Type: Bidirectional TVS; External Depth: 3.56mm; External Length / Height: 2.44mm; External Width: 5.59mm; Peak Pulse Current Ippm: 19A; Power Dissipation Pd: 600W; Reverse Leakage Current Max: 1µA; SMD Marking: CBQ; Stand-off Voltage: 100V; Test Current: 1mA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMB
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Breakdown Voltage117 V
Capacitance450 pF
Clamping Voltage212 V
CompositionZener
DirectionBidirectional
Element ConfigurationSingle
ESD ProtectionNo
Leakage Current200 nA
Max Breakdown Voltage117 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)100 V
Max Reverse Leakage Current200 nA
Max Surge Current1 mA
Min Breakdown Voltage111 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Bidirectional Channels1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage100 V
Peak Pulse Current19 A
Peak Pulse Power 600 W
Peak Reverse Current200 nA
PolarityBidirectional
Power Dissipation600 W
Power Line ProtectionNo
Reverse Breakdown Voltage111 V
Reverse Standoff Voltage100 V
Schedule B8541100080
Test Current1 mA
Dimensions
Height2.45 mm
Length4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsMIL-STD-750
REACH SVHCNo
RoHSCompliant