STMicroelectronics SM15T200CA
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Authorized Distributors
6
6
6
Polarity
Bidirectional
Bidirectional
Bidirectional
Number of Unidirectional Channels
-
-
-
Number of Bidirectional Channels
1
-
-
Breakdown Voltage
200 V
199 V
199 V
Clamping Voltage
353 V
275 V
275 V
Peak Pulse Power
1.5 kW
1.5 kW
1.5 kW
Peak Pulse Current
28 A
5.5 A
5.5 A
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.50
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics SM15T200CA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SM15T Series 1500 W 200 V Bi-Directional Surface Mount TVS Diode -DO-214AB
STMicroelectronics BidirectionalTVSDiodes, Maximum clamping voltage 353V, SMD mount, SMCencapsulation, Minimum breakdown voltage 190V
DIODE, TVS, 200V, 1.5KW; Product Range: SM15T Series; TVS Polarity: Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm: 171V; Clamping Voltage Vc Max: 353V; Diode Case Style: SMD; No. of Pins: 2Pins; Breakdown Voltage Min: 190V; Breakdown Voltage Max: 210V; Peak Pulse Power Dissipation: 1.5kW; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Alternate Case Style: DO-214AB; Breakdown Voltage: 200V; Breakdown Voltage Range: 190V to 210V; Breakover Voltage Min: 190V; Capacitance Cd @ Vr Typ: 675pF; Clamping Voltage @ 8/20µs Max: 353V; Diode Type: Bidirectional TVS; External Length / Height: 6.05mm; Leakage Current: 1µA; Peak Pulse Current Ippm: 5.5A; Power Dissipation Pd: 1.5kW; Reverse Leakage Current Max: 1µA; Stand-off Voltage: 171V; Uni / Bi Directional Polarity: Bidirectional
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMC
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Breakdown Voltage200 V
Capacitance675 pF
Clamping Voltage353 V
CompositionZener
DirectionBidirectional
Element ConfigurationSingle
Leakage Current200 nA
Max Breakdown Voltage210 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.3 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)171 V
Max Reverse Leakage Current200 nA
Max Surge Current5.5 A
Min Breakdown Voltage190 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Bidirectional Channels1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage171 V
PackagingCut Tape
Peak Pulse Current28 A
Peak Pulse Power 1.5 kW
Peak Reverse Current5 µA
PolarityBidirectional
Power Dissipation1.5 kW
Power Line ProtectionNo
Power Rating1.5 kW
Reverse Breakdown Voltage190 V
Reverse Standoff Voltage171 V
Schedule B8541100080
TerminationSMD/SMT
Test Current1 mA
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height2.45 mm
Length7.15 mm
Width6.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsMIL-STD-750, MIL-STD-883
REACH SVHCNo
RoHSCompliant