STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
$ 19.229
EOL
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey497-18351-ND5701Tube
AvnetSCTW90N65G2V390600
9h
NewarkSCTW90N65G2V2691
VericalSCTW90N65G2V9801
Arrow ElectronicsSCTW90N65G2V9801

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TME

Datasheet12 SeitenVor 6 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-06-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics SCTW90N65G2V, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
Ciiva
HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Digi-ic_SMART PIONEER
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 119 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
Avnet
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 119A, TO-247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:119A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipation:565W RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

TME
Newark
Lanka Micro
RS
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics