STMicroelectronics SCT012H90G3AG

Name: STMicroelectronics SCT012H90G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT012H90G3AG

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 m typ., 110 A in an HPAK-7 package

$ 13.4

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SCT012H90G3AG	47	1	Cut Tape	21,190	16,740	14,760	14,760	14,760
DigiKey	3	497-SCT012H90G3AGCT-ND	697	1	Cut Tape	22,010	15,786	14,333	14,333	14,333
TME	2	SCT012H90G3AG	0	1		52,750	52,750	52,750	52,750	52,750	13h
Avnet		SCT012H90G3AG	0	1K					11,858	11,355	2d
Arrow Electronics		SCT012H90G3AG	0	1K					15,667	15,184

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Lieferkette

Country of OriginItaly

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-09-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics SCT012H90G3AG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 m typ., 110 A in an HPAK-7 package

EBV Elektronik

SIC MOSFET, N-CHANNEL, 900V, 110A, H2PAK;

element14 APAC

Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 900V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

SIC MOSFET, N-CH, 900V, 110A, H2PAK-7; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. of Pins:7Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipation:625W RoHS Compliant: Yes

Newark

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: