STMicroelectronics PD85015STR-E
Obsolete
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Bestandsverlauf
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Alternative Teile
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2019-01-03
LTD Date2019-07-03
Verwandte Teile
STMicroelectronicsPD20010TR-E
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
STMicroelectronicsPD85015TR-E
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics PD85015STR-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
15W 13.6V 870MHz LDMOS in powerSO-10RF plastic package
Power LDMOS Transistor N-Channel 40V 5A 4-Pin PowerSO-10RF T/R
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF / RF Mosfet 13.6 V 150 mA 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF (Straight Lead)
16 dB Compliant Surface Mount 870 MHz Tape and Reel 15 W 150 mA 13.6 V
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
POWERSO10 15W 870MHZ 12V LDMOS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Frequency870 MHz
Gain16 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Max Frequency1 GHz
Max Operating Temperature165 °C
Max Output Power20 W
Max Power Dissipation59 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power15 W
PackagingTape and Reel
Power Dissipation59 W
Test Current150 mA
Test Voltage13.6 V
Voltage Rating40 V
Datenblätter und Dokumente
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