STMicroelectronics MJD32CT4

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
$ 0.257
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
2
MJD32CT47.5002500Tape & Reel
AvnetMJD32CT45.0002500
5d
NewarkMJD32CT435
Arrow Electronics
3
MJD32CT44.8501
Verical
3
MJD32CT4197.5002500

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 14 Jahren

element14 APAC

Future Electronics

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsMJD32CT4
onsemiNJVMJD32CT4G
onsemiNJVMJD32CT4G
Price @ 1000
$ 0.257
$ 0.281
$ 0.281
Stock
1,125,190
626,786
626,786
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-252
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
-
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
15 W
15 W
15 W

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics MJD32CT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Augswan
Transistor, Bipolar, Si, PNP, Amplifier, Power, VCEO -100V, IC -3A, PD 15W, TO-252
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS PNP 100V 3A DPAK
Win Source
100V 15W 3A 10@3A4V 1.2V@3A375mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-252-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
100V 15W 25@3A,4V 3A PNP DPAK Bipolar (BJT) ROHS
EBEE
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Component Sense
TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -3A, TO-252; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 50hFE; Transis
Farnell
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = -3 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = -100 / DC Current Gain (hFE) = 10 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = -100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = -5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 15 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = -1.2
Distrelec

Bilder

element14 APAC
TME
element14 APAC
Distrelec
Distrelec
Lanka Micro
RS

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD32CT4.