Was ist neu: Finden Sie die richtigen Teile schneller mit unserer neu gestalteten Benutzeroberfläche

Mehr erfahren

STMicroelectronics MJD122-1

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
$ 0.488
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
MJD122-1
496
1
USD
1,670
1,250
0,825
0,654
0,536
TME
2
MJD122-1
0
1
USD
1,450
0,718
0,585
0,476
0,436
15h
DigiKey
497-16183-ND
1.576
1
Bulk
USD
1,530
1,530
0,673
0,499
0,379
Future Electronics
MJD122-1
0
75
Tube
USD
0,375
0,355
0,340
Avnet
MJD122-1
0
3K
USD
0,337
19h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics MJD122-1 herunter.

STMicroelectronics

Datasheet12 SeitenVor 20 Jahren

IHS

Verical

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+17.16%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie STMicroelectronics MJD122-1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3D
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Verwandte Teile

onsemiMJD31CITU
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Details
onsemiKSH45H11ITU
KSH Series 80 V 8 A 1.75 W Through Hole PNP Epitaxial Silicon Transistor - I-PAK
Details
Diodes Inc.APT13003DI-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics MJD122-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Semicontronic
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 / Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Win Source
MJD122-1 Series 100 V 8 A SMT NPN Darlington Transistor - TO-251 (IPAK)
Future Electronics
Bipolar Array, Npn, 8A, 20W, Ipak; |Stmicroelectronics MJD122-1
Newark

Bilder

element14 APAC
Lanka Micro
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD1221