STMicroelectronics MJD122-1

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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DistributorSKUMinPkg
NewarkMJD122-14961
DigiKey497-16183-ND2.0361Bulk
TME
2
MJD122-101
10h
Future ElectronicsMJD122-1075Tube
AvnetMJD122-103K
6d

Datenblätter und Dokumente

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STMicroelectronics

Datasheet12 SeitenVor 20 Jahren

IHS

Verical

Future Electronics

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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics MJD122-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Semicontronic
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 / Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Win Source
MJD122-1 Series 100 V 8 A SMT NPN Darlington Transistor - TO-251 (IPAK)
Future Electronics
4V@ 80mA,8A NPN - Darlington 1.75W 5V 10¦ÌA 100V 100V 8A TO-251-3 6.6mm*2.4mm*7.2mm
UnikeyIC

Bilder

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Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MJD1221