Diodes Inc. APT13003DI-G1
$ 0.207
Obsolete
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0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2020-04-07
LTD Date2020-04-07
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. APT13003DI-G1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Trans GP BJT NPN 450V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Box
400mV@ 250mA,1A NPN 24W 9V 450V 1.5A TO-251
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO251 TUBE 3.6K
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Continuous Collector Current1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Fall Time350 ns
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min5
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation24 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency4 MHz