STMicroelectronics IRF630

N-channel 200 V, 0.35 Ohm typ., 9 A Power MOSFET in D2PAK package
$ 0.598
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Datasheet14 SeitenVor 20 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 7 Jahren

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Verwandte Teile

Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics IRF630, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 200 V, 0.35 Ohm typ., 9 A Power MOSFET in D2PAK package
In a Tube of 50, IRF630 N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
POWER MOSFET, N-CH, VDSS 200V, RDS(ON) 0.35OHM, ID 9A, TO-220,PD 75W, VGS+/-20V, GFS 4S
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Through Hole
ST IRF630 200V 9A N Channel Power MOSFET, TO-220 Package, 75W
200V 9A 75W 400m´Î@10V4.5A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd:

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRF 630
  • IRF630.
  • IRF630..