STMicroelectronics BUX87
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
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Lieferkette
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BUX87, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 500 mA, 40 W, SOT-32, Through Hole
BUX87 Series 450 V 500 mA High Voltage NPN Power Transistor - SOT-32-3
Trans GP BJT NPN 450V 0.5A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Bipolar Transistors - BJT NPN High Volt Power
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR, NPN, 450V, SOT-32; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450V; Transition Frequency ft: 20MHz; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 50hFE; Transistor
Trans, Npn, 450V, 0.5A, 150Deg C, 40W; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:450V; Continuous Collector Current:500Ma; Power Dissipation:40W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics BUX87
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency20 MHz
Gain Bandwidth Product20 MHz
hFE Min12
Max Collector Current500 mA
Max Frequency20 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency20 MHz
Voltage Rating (DC)450 V
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant