STMicroelectronics BUL39D
$ 0.51
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-10-11
LTD Date2021-04-11
Verwandte Teile
onsemiFJP3305H2TU
1Ã×A 400V 75W 4A 8@2A5V 4MHz 1V@4A1A NPN +150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemiKSC5302DTU
TRANS NPN 400V 2A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 2 A 50 W Through Hole TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BUL39D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT NPN 450V 4A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
450V 70W 4A 40@5A10V 1.1V@2.5A500mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-220(TO-220-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 450V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 70W; DC Collector Current: 2.5A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Transistor Case Style:
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:450V; Continuous Collector Current:2.5A; Power Dissipation:70W; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:-; MSL:- RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)850 V
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min4
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation70 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)450 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant