STMicroelectronics BDX33C
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298,515
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
70 W
70 W
70 W
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1989-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiKSE44H11TU
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BDX33C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar junction transistor, NPN, 10 A, 100 V, THT, TO-220, BDX33C
100V 750@3V,3A NPN 500uA 10A 70W +150℃@(Tj) 2.5V@3A,6mA TO-220 Darlington Transistors ROHS
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 10A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Npn, 100 V, 70 W, 10 A, 750 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics BDX33C
Transistor Darlington NPN 10A/100V 70W TO220 BDX 33 C
Power Bipolar, NPN, 3V, 6mA, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 70W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transistor Case
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
hFE Min750
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation70 W
Transition Frequency3 MHz
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant