STMicroelectronics BDW93C
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Stock
634,562
124,127
Authorized Distributors
6
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
12 A
12 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
3 V
hFE Min
100
100
Power Dissipation
80 W
80 W
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BDW93C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 750 @ 5A 3V 1mA 80W 100V
BD Series NPN 80 W 100 V 12 A Epitaxial Silicon Transistor - TO-220-3
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
BDW93C NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 12 A 100 V HFE:100, 3-PIN TO-220
Power Bipolar, NPN, 3V, 20mA, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
Darlington Transistor, TO-220, NPN, 100V
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:12A; RF Transistor Case:TO-220; No. of Pins:3Pins; DC Current Gain hFE:100hFE RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)2.5 V
hFE Min100
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant