STMicroelectronics BD681

Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 100 ## Fehler ##, THT, TO-126, BD681
$ 0.349
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
AvnetBD68165.1281
6d
NewarkBD6816.9481
Arrow Electronics
2
BD681269.8431
Verical
2
BD681267.80443
TME
2
BD681-ST5.4151
16h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 20 Jahren

Future Electronics

Burklin Elektronik

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
STMicroelectronicsBD681
onsemiBD681G
onsemiBD681G
Price @ 1000
$ 0.349
$ 0.457
$ 0.457
Stock
1,926,674
656,753
656,753
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
SOT-32
TO-225
TO-225
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
10 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
40 W
40 W
40 W

Lieferkette

Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics BD681, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Bipolar junction transistor, NPN, 4 A, 100 ## Fehler ##, THT, TO-126, BD681
Burklin Elektronik
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 40W; -65+150 deg.C; THT; TO126
Maritex
TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN, POWER, SWITCH, VO 100V, VI 5V, IO 4A, PD 40W, SOT-32
RS (Formerly Allied Electronics)
COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ComSIT Distribution GmbH
BD6xxx Series PNP 80 V 4 A Complementary Power Darlington Transistor - SOT-32
Future Electronics
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box / TRANS NPN DARL 100V 4A SOT-32
Win Source
DARLINGTON TRANS, NPN, 100V, 4A, SOT-32; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; RF Transistor Case:SOT-32; No. of Pins:3Pins; DC Current Gain hFE:750hFE RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Conrad
TME
RS
SOS electronic
Distrelec
TME
Micros
Future Electronics
iiiC
Lanka Micro
SOS electronic
South Microelectronics
SOS electronic
Entegreci

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BD 681