STMicroelectronics BD679A
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Stock
922,501
908,205,479
908,205,479
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
SOT-32
TO-126
TO-126
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
10 MHz
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.8 V
2.8 V
2.8 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
40 W
40 W
40 W
Lieferkette
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BD679A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BD679A Series NPN 80 V 4 A Complementary Power Darlington Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 / Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
BD679A NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 4 A 80 V HFE:750, 3-PIN SOT-32
Trans, Npn, 80V, 4A, 150Deg C, 40W; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Power Dissipation Pd:40W; Dc Collector Current:4A; Rf Transistor Case:Sot-32; No. Of Pins:3Pins; Dc Current Gain Hfe:750Hfe Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics BD679A
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current4 A
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant