STMicroelectronics BD242B
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Offizielles DatenblattVor 2 Jahren
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Price @ 1000
$ 0.365
$ 0.359
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Stock
323,696
79,426,990
79,426,990
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
40 W
40 mW
40 mW
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics BD242B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 3 A, 40 W, TO-220, Through Hole
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 80V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
3 A 80 V PNP Si POWER TRANSISTOR TO-220AB
1.2V@ 600mA,3A PNP 40W -5V 300¦ÌA 80V 3A TO-220 9.15mm
Transistor, Pnp, -80V, -3A, To-220; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-80V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:40W; Dc Collector Current:-3A; Dc Current Gain Hfe:10Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics BD242B
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min10
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation40 W
Transition Frequency3 MHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant