STARPOWER GD600HFY120C2S
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Beschreibungen
Beschreibungen von STARPOWER GD600HFY120C2S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 1KA, 150度 C, 3.409KW;
IGBT MOD, 1.2KV, 1KA, 150DEG C, 3.409KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 1kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 3.409kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2
Igbt Mod, 1.2Kv, 1Ka, 150Deg C, 3.409Kw; Continuous Collector Current:1Ka; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:3.409Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD600HFY120C2S
Aliasnamen des Herstellers
STARPOWER verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STARPOWER ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
- STARPOWER SEMICONDUCTOR
- StarPower Europe AG