STARPOWER GD450HFY120C6S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 698A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
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DistributorSKUMinPkg
IC Components Ltd.GD450HFY120C6S5.100
19h
YIC InternationalGD450HFY120C6S5.400
>1wk

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 3 Jahren

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Beschreibungen

Beschreibungen von STARPOWER GD450HFY120C6S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 698A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
Starpower GD450HFY120C6S IGBTモジュール
RS APAC
IGBT MOD, 1.2KV, 680A, 150DEG C, 2.173KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 680A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 2.173kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: Module; No. of Pins: 11Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Igbt Mod, 1.2Kv, 680A, 150Deg C, 2.173Kw; Continuous Collector Current:680A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:2.173Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD450HFY120C6S
Newark

Aliasnamen des Herstellers

STARPOWER verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STARPOWER ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG