STARPOWER GD30PJX65L2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Beschreibungen

Beschreibungen von STARPOWER GD30PJX65L2S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD30PJX65L2S IGBTモジュール
晶体管, IGBT 模块, 650V, 55A, 163W;
IGBT, PIM, 650V, 55A, MODULE; Continuous Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.45V; Power Dissipation:163W; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Solder; Collector Emitter Voltage Max:650V RoHS Compliant: Yes

Aliasnamen des Herstellers

STARPOWER verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STARPOWER ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG