STARPOWER GD300HFY120C2S
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Beschreibungen
Beschreibungen von STARPOWER GD300HFY120C2S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 444A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 600A, 150度 C, 2.941KW;
Starpower GD300HFY120C2S IGBTモジュール
IGBT MOD, 1.2KV, 600A, 150DEG C, 2.941KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 2.941kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1
Igbt Mod, 1.2Kv, 600A, 150Deg C, 2.941Kw; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:2.941Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD300HFY120C2S
Aliasnamen des Herstellers
STARPOWER verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STARPOWER ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
- STARPOWER SEMICONDUCTOR
- StarPower Europe AG
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals7
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current444 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.401 kW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements2
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