Sangdest Microelectronics SBRD10200TR
$ 0.185
Production
Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80
Introduction Date2017-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Sangdest Microelectronics SBRD10200TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon
Diode Schottky 200V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IC TXRX RS485/422 250KBPS 8-DIP
Aliasnamen des Herstellers
Sangdest Microelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Sangdest Microelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
- SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing))
- SANGDEST
- Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co Ltd
- SMC-Diodess
- SANGDEST MICROELECTRONICS CO LTD
- SANGDEST MICROELECTRONIC
- SMC-Diodes
- Sangdest Microelectronics (Nanjing)
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Terminals2
Technical
Capacitance100 pF
Forward Current10 A
Forward Voltage950 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)100 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current10 A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Peak Reverse Current1 mA
Reverse Standoff Voltage200 V
Reverse Voltage200 V
Dimensions
Height2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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