Sangdest Microelectronics S3M0016120B

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide...
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S3M0016120B-SMC101
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2024-09-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Sangdest Microelectronics S3M0016120B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 1200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
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Aliasnamen des Herstellers

Sangdest Microelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Sangdest Microelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
  • SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing))
  • SANGDEST
  • Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co Ltd
  • SMC-Diodess
  • SANGDEST MICROELECTRONICS CO LTD
  • SANGDEST MICROELECTRONIC
  • SMC-Diodes
  • Sangdest Microelectronics (Nanjing)