S2M0160120J by Sangdest Microelectronics

Sangdest Microelectronics S2M0160120J

Name: Sangdest Microelectronics S2M0160120J
Brand: Sangdest Microelectronics
SKU: S2M0160120J

Mosfet Silicon Carbide Sic 1200V

$ 2.726

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey		1655-S2M0160120J-ND	296	1	Tube	6,800	4,568	3,303	2,592	2,524
TME	4	S2M0160120J-SMC	50	1		6,480	4,440	3,800	3,390	3,390	18h
Bettlink		S2M0160120J	230			5,576	4,891	4,447	3,920	3,699	3h

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Datasheet10 SeitenVor 2 Jahren

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Beschreibungen

Beschreibungen von Sangdest Microelectronics S2M0160120J, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

Ansinor

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1200V, 0.196ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Aliasnamen des Herstellers

Sangdest Microelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Sangdest Microelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: