Sangdest Microelectronics S2M0080120D

Mosfet Silicon Carbide Sic 1200V
$ 6.482
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IHS

Datasheet10 SeitenVor 3 Jahren

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Beschreibungen

Beschreibungen von Sangdest Microelectronics S2M0080120D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD

Aliasnamen des Herstellers

Sangdest Microelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Sangdest Microelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
  • SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing))
  • SANGDEST
  • Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co Ltd
  • SMC-Diodess
  • SANGDEST MICROELECTRONICS CO LTD
  • SANGDEST MICROELECTRONIC
  • SMC-Diodes
  • Sangdest Microelectronics (Nanjing)