Sangdest Microelectronics S1M1000170J

Power Field-Effect Transistor, 1700V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 2.062
Production
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DistributorSKUMinPkg
TME
4
S1M1000170J-SMC501
16h
AERIS1M1000170J6.386
7h

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TME

Datasheet12 SeitenVor 1 Jahre

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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2024-10-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Sangdest Microelectronics S1M1000170J, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Field-Effect Transistor, 1700V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
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Aliasnamen des Herstellers

Sangdest Microelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Sangdest Microelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
  • SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing))
  • SANGDEST
  • Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co Ltd
  • SMC-Diodess
  • SANGDEST MICROELECTRONICS CO LTD
  • SANGDEST MICROELECTRONIC
  • SMC-Diodes
  • Sangdest Microelectronics (Nanjing)