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Verwandte Teile
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IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Beschreibungen
Beschreibungen von Semikron SEMIX151GD12E4S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SEMIX; TRENCH IGBT MODULE; 1200V; 200A
Features: Homogeneous Si Trench = Trenchgate technology V CE(sat) with positive temperature coefficient High short circuit capability UL recognized, file no. E63532 Typical Applications: AC inverter drives UPS Electronic Welding
Igbt Module, Six, 1.2Kv, 232A; Continuous Collector Current:232A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.8V; Power Dissipation:-; Operating Temperature Max:125°C; Igbt Termination:Stud; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Semikron SEMIX151GD12E4S
Aliasnamen des Herstellers
Semikron verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Semikron ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- SEMIK
- SEMIKRON INTERNATIONAL
- SEMIKRO
- SEMIKRON INC
- semokron
- SEMIKR
- SEMIKON
- SEMIKROM
- SMIKRON
- SEMIKRON DANFOSS
- SEMIKRON INTERNATIONAL GMBH
- SEMIKEON
- Semikron Sindopower
- Sindopower / Semikron
- Semikron Danfoss Elektronik
- semicron
- SMK
- SMK CORP
- Semikron Passive
- SEMIKRON/PRIMO
- Mikron Manufacturing
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountScrew
Number of Pins17
Technical
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Operating Temperature175 °C
Min Operating Temperature-40 °C
PolarityNPN
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