ROHM UMH1NTN
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Stock
638,849
54,399
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-363
-
Polarity
NPN
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
30 mA
100 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
56
56
Power Dissipation
150 mW
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DCX122LU-7-F
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Diodes Inc.DCX143EU-7-F
DCX143 Series NPN/PNP 50 V 100 mA Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM UMH1NTN, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN; Digital Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; Base-Emitter Resistor R2:22kohm; Resistor R
Transistor Dual, Npn/Npn, Um6; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:50V; Disipación De Potencia Pd:150Mw; Corriente De Colector Dc:100Ma; Ganancia De Corriente Dc Hfe:56; Núm. De Contactos:6 |Rohm UMH1NTN
TRANSISTOR DUAL UM6 NPN/NPN; Digital Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 22kohm; Base-Emitter Resistor R2: 22kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-363; No. of Pins: 6 Pin; Product Range: UMH1N Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Ic Continuous a Max: 100mA; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 56hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 250MHz; Hfe Min: 56; Module Configuration: Dual; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 150mW; Transistor Case Style: SOT-363; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 250MHz
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating30 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min56
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
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