ROHM SCT3120ALGC11
$ 5.158
Production
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3-Monats-Trend: +871%
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0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM SCT3120ALGC11, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 650V, 0.156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet Module Configuration:Single; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Rohm SCT3120ALGC11.
MOSFET, N-CH, 650V, 21A, TO-247N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 18V; Threshold Voltage Vgs: 5.6V; Po
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +871%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance156 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance460 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation103 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation103 W
Rds On Max156 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height25.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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