ROHM SCT3105KLGC11
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6
6
Mount
-
-
Case/Package
-
TO-247
Drain to Source Voltage (Vds)
1.2 kV
1.2 kV
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
-
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
-
-
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM SCT3105KLGC11, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 24 A, 1.2 kV, 0.105 ohm, TO-247N
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1200V, 0.137ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 24A, 175DEG C, 134W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 18V; Threshold Voltage Vg
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Resistance137 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)1.2 kV
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation134 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Number of Elements1
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