ROHM SCT2450KEC
$ 9.48
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-10-15
LTD Date2021-10-15
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW13NK100Z
N-CHANNEL 1000V 0.56 Ohm 13.5A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH™ POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTW15N95K5
N-channel 950 V, 0.41 Ohm typ., 12 A SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW12N120K5
N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW90R500C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM SCT2450KEC, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 85 W 1200 V 585 mOhm Flange Mount MosFet - TO-247-3
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1200V, 0.585ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N Channel, 1.2Kv, 10A, 0R45, To-247-3; Mosfet Configuration:Single; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; On Resistance Rds(On):0.45Ohm; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Rohm SCT2450KEC
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance585 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance463 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Rds On Max585 mΩ
Resistance585 mΩ
Rise Time17 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.03 mm
Length15.9 mm
Width20.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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