ROHM RPI-352
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RPI-352, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RPI Series 800 nm 30 V 50 mA Through Hole 3 mm Small Gap Photointerrupter
3mm DIP-4 Photointerrupters - Slot Type - Transistor Output ROHS
Photointerrupter Transmissive 3Mm Phototransistor 4-Pin Rohs Compliant: Yes
Channel Type Photoelectric Switch (Logic Output)
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3mm Slot Width
Photoelectric Switches 30mA 800nm 1.3V
ROHM RPI-352 Through Hole Slotted Optical Switch, Phototransistor Output | ROHM Semiconductor RPI-352
LEDs PHOTOINTERRUPTER 3mm Gap 4.2x5.4mm
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSOR OPTO SLOT 3MM TRANS THRU
4.2X5.2MM P IRUPT 3MM GAP 50MA
IC, PHOTOINTERRUPTERS, SLOT 3MM PCB; IC Function:Photo Interrupter; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Digital IC Case Style:RPI-352; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:352; Operating Temperature Max:85°C; Operating Temperature Min:-25°C; Package / Case:RPI-352
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -51.00%
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountThrough Hole
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current500 nA
Fall Time10 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation80 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation80 mW
Response Time10 µs
Rise Time10 µs
Schedule B8541406050
Sensing Distance2.9972 mm
Voltage Rating (DC)1.3 V
Wavelength950 nm
Dimensions
Height5.4 mm
Length6.4 mm
Width4.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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