ROHM RGTH40TS65GC13
$ 2.131
NRND
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-09-15
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RGTH40TS65GC13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 144mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
Transistor IGBT Chip 650V 40A 3-Pin TO-247GE Tube
TRANSISTOR, IGBT, 650V, 40A/144W/TO247GE;
High-Speed Field Stop Trench IGBT
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247G
IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247G
HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
IGBT, SINGLE, 650V, 40A, TO-247GE; Continuous Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:144W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
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