ROHM RGT50NS65DGTL

IGBT / IGBT Trench Field Stop 650 V 48 A 194 W Surface Mount LPDS
$ 1.415
NRND
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IHS

Datasheet12 SeitenVor 10 Jahren

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Lieferkette

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von ROHM RGT50NS65DGTL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

IGBT / IGBT Trench Field Stop 650 V 48 A 194 W Surface Mount LPDS
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
194W 1.65V withbuilt-indiode 650V 48A TO-263-2
IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS
IGBT, 650V, 48A, 175DEG C, 194W; DC Collector Current: 48A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 194W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-262; No. of Pins
IGBT, SINGLE, 650V, 48A, TO-262; Continuous Collector Current:48A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:194W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Aliasnamen des Herstellers

ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Rohm Semiconductor
  • ROHM CO LTD
  • RHOM
  • ROH
  • RHM
  • ROHM ELECTRONICS
  • ROM
  • ROMH
  • ROHS
  • ROHN
  • ROHM SEMI
  • ROHM Semicon
  • ROHM CORPORATION
  • ROHM CORP
  • MIYA
  • Rohm Company Limited
  • ROHM CO
  • ROHM ELEC
  • ROHM Semiconductors
  • ROHM ELECTRO
  • ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
  • ROHM COMPANY LTD
  • ROHM INC
  • ROHM/MISC
  • ROHM/NONE