ROHM RGT30NS65DGC9

Name: ROHM RGT30NS65DGC9
Brand: ROHM
SKU: RGT30NS65DGC9

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA

$ 1.34

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST37829945	47	1		0,505	0,492	0,473	0,470	0,469	9h
Verical	3	RGT30NS65DG-C9	250	10			1,418	1,418	1,418	1,418
Arrow Electronics		RGT30NS65DGC9	50	1		0,743	0,743	0,743	0,743	0,743
DigiKey		RGT30NS65DGC9-ND	2.894	1	Tube	3,860	3,860	1,773	1,347	1,289
Farnell		RGT30NS65DGC9	0	1		3,552*	2,589*	1,681*	1,423*	1,423*	1h

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 10 Jahren

Rohm SCT

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-12-20

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von ROHM RGT30NS65DGC9, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA

IHS

Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 133mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube

Verical

Field Stop Trench IGBT 650V 15A LPDS

RS APAC

IGBT TRENCH FIELD 650V 30A TO262

Easev

IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262

DigiKey

IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23-5

Utmel Electronic

IGBT, 650V, 30A, 175DEG C, 133W; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 133W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-262; No. of Pins

Farnell

IGBT, SINGLE, 650V, 30A, TO-262; Continuous Collector Current:30A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:133W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark

Aliasnamen des Herstellers

ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: