ROHM RE1J002YNTCL
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
onsemiMCH6444-TL-W
Mosfet Transistor, N Channel, 2.5 A, 35 V, 0.075 Ohm, 10 V, 2.6 V Rohs Compliant: Yes
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RE1J002YNTCL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM / Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
N-Channel 50 V 200 mA 2.2 Ohm 150 mW Surface Mount Small Signal MOSFET - SOT-416
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Small Signal MOSFET N-Ch 50V 200mA EMT3F
RS APAC
ROHM NMOS RE1J002YN, Vds=50 V, 200 mA, SC-75, , 3
XSTOR SMT RE1J002YN 50V 200MA SOT-416
MOSFET, N-CH, 50V, 0.2A, SC-89-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 200mA; Drain Source Voltage Vds: 50V; On Resistance Rds(on): 1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 800mV; Power Dissipation Pd: 150mW; Transistor Case Style: SC-89; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight29.993795 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance2.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance26 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation150 mW
Rds On Max2.2 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height900 µm
Datenblätter und Dokumente
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