ROHM RAF040P01TCL
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
VishaySI5468DC-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM RAF040P01TCL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET P-CH 12V 4A 3-Pin TUMT Emboss T/R
P-Channel 12 V 4 A 30 mOhm 0.8 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-323T
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3 / Trans MOSFET P-CH Si 12V 4A 3-Pin TUMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ROHM PMOS RAF040P01, Vds=12 V, 4 A, SOT-323, , 3
MOSFET, P-CH, -12V, -4A, TUMT-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -4A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 800mW; Transistor Case Style: TUMT; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-8 V
Input Capacitance4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max30 mΩ
Rise Time43 ns
Turn-Off Delay Time240 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Datenblätter und Dokumente
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