ROHM DTC014EEBTL
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
ROHMDTC114EKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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ROHMDTC114EEBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.DDTC114GCA-7-F
DDTC Series NPN 50 V 100 mA 200 mW Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23
onsemiFJV3115RMTF
NPN 250 mW 50 V 100 mA Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM DTC014EEBTL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
DTC014E Series 50 V 100 mA 150 mW SMT NPN Digital Transistor - SOT-416FL
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
35@5mA,10V NPN- 150mW 50mA 50V SOT-523(SC-75) Digital Transistors ROHS
Digital Trans, 50V, 0.1A, Sot-416Fl; Digital Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100Ma; Base Input Resistor R1:10Kohm; Base-Emitter Resistor R2:10Kohm; Resistor Rohs Compliant: Yes |Rohm DTC014EEBTL
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Output Voltage50 mV
PolarityNPN
Transition Frequency250 MHz
Datenblätter und Dokumente
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