ROHM DTB123YCT116
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
NXP Semiconductors2PB710AS,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Toshiba2SA1313-Y,LF
Single Bipolar Transistor, PNP, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, 3 Pins, Surface Mount
ROHMDTA115GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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PanasonicDSA200100L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM DTB123YCT116, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
TRANSISTOR DIGITAL SC-59 500MA PNP; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:-50V; Typ Gain Bandwidth ft:200MHz; DC Current Gain hFE:56; SVHC:No SVHC ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR DIGITAL SC-59 500MA PNP; Digital Transistor Polarity: Single PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V; Continuous Collector Current Ic: -500mA; Base Input Resistor R1: 2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10koh
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
hFE Min56
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
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