ROHM DTA123JETL
$ 0.044
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -2.47%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie ROHM DTA123JETL Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.044
$ 0.056
Stock
524,537
381,573
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-416
SOT-523
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
80
80
Power Dissipation
150 mW
-
Verwandte Teile
ROHMDTA143ZETL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTC123JETL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1106,LF(CT
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
ToshibaRN1107,LF(CT
300mV@ 250¦ÌA,5mA NPN - Pre-Biased 100mW 6V 500nA 50V 100mA SOT-416-3 1.6mm*800¦Ìm*700¦Ìm
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM DTA123JETL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DTA123J Series 50 V 100 mA PNP Surface Mount Digital Transistor - EMT3
300mV@ 250¦ÌA,5mA PNP - Pre-Biased 150mW 500nA 50V 100mA SOT-523 1.6mm*800¦Ìm*700¦Ìm
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: -100mA; Base Input Resistor R1: 2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2
TRANSISTOR; DIGITAL; PNP; EM3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-416; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:80; Package / Case:SOT-416; Power Dissipation Pd:150mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -2.47%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-416
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingDigi-Reel®
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V