ROHM DTA114EETL
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Price @ 1000
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Stock
8,074,010
1,250,556
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
SOT-523
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
50 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-
hFE Min
68
30
Power Dissipation
150 mW
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPDTA113EE,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA114ECA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTA114EUA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiFJV4102RMTF
PNP 250 mW 50 V 100 mA Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM DTA114EETL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DTA114EE Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - EMT-3
30@5mA,5V One PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-523(SC-75) Digital Transistors ROHS
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
Transistor, DIGITAL, PNP; Digital Transistor Polarity:Single Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Current Ic:-100mA;
TRANSISTOR, DIGITAL, PNP; Transistor Type:Digital Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Power Dissipation:150mW; ft, Typ:250MHz; Case Style:EMT3; Termination ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, DIGITAL, PNP; Digital Transistor Polarity: Single PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: -100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: EMT; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTA114E Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Application Code: TL; Continuous Collector Current Ic Max: 100mA; Current Ic Continuous a Max: 100mA; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 250MHz; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Power Dissipation Pd: 150mW; Power Dissipation Ptot Max: 150mW; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Case Style: EMT; Transistor Polarity: PNP; Transistor Type: Bias Resistor (BRT); Transition Frequency ft: 250MHz
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-50 mA
Current Rating-50 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min68
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
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