ROHM BSM120D12P2C005
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM BSM120D12P2C005, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 1200V 134A 10-Pin Case C Cardboard
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
SiC-N-Ch-Half-Bridge+2xSBD 1200V 134A C-
ROHM NSiC BSM, Vds=1200 V, 120 A, C, , 4
MODULE, POWER, SIC, 1200V, 120A; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): -; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: 2.7V; Power Dis
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 120A, MODULE-10; MOSFET Module Configuration:Half Bridge; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:10Pins; Rds(on) Test Voltage:-; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountScrew
Number of Pins10
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Input Capacitance14 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation780 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs2.7 V
Number of Channels1
Number of Elements2
Threshold Voltage2.7 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length122 mm
Width45.6 mm
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