ROHM BC848BWT106
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Stock
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7,098,647
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-236-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
200 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
300 mW
300 mW
Verwandte Teile
ROHMBC848CT116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC848B-13-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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DSS30101L Series 30 V 1 A Low VCE(SAT) NPN Surface Mount Transistor - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM BC848BWT106, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 / Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
BC848BW Series 30 V 100 mA SMT NPN General Purpose Transistor - SC-70
600mV@ 5mA,100mA NPN 200mW 5V 100nA 30V 30V 100mA SOT 2mm*1.25mm*800¦Ìm
Trans, Npn, 30V, 0.1A, 150Deg C, 0.2W; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:30V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:200Mw; Dc Collector Current:100Ma; Dc Current Gain Hfe:200Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Rohm BC848BWT106
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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