ROHM 2SD2675TL
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2027-09-30
LTD Date2028-03-31
Verwandte Teile
Diodes Inc.DSS30101L-7
DSS30101L Series 30 V 1 A Low VCE(SAT) NPN Surface Mount Transistor - SOT-23-3
ROHMBC848BWT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC848B-13-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SD2675TL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM 2SD2675TL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 30 V, 3-PIN SC-96
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TSMT T/R
350mV@ 25mA,500mA NPN 1W 6V 100nA 30V 30V 1A TSMT-3 2.9mm*1.6mm*850¦Ìm
TRANSISTOR, NPN, 30V, 1A, SC-96; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 320MHz; Power Dissipation Pd: 500mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transisto
Transistor, Npn, 30V, 1A, Tsmt3; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:30V; Frecuencia De Transición Ft:320Mhz; Disipación De Potencia Pd:500Mw; Corriente De Colector Dc:1A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:270 |Rohm 2SD2675TL
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage120 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product320 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency320 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height950 µm
Length3 mm
Width1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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