ROHM 2SCR522MT2L
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SCR522MT2L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN Transistor 300mV@10mA,100mA 150mW 5V 100nA 20V 20V 200mA VMT-3 SMD 450μm H
BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin SOT-723 T/R
Trans, Npn, 20V, 0.2A, 150Deg C, 0.15W; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:20V; Transition Frequency Ft:400Mhz; Power Dissipation Pd:150Mw; Dc Collector Current:200Ma; Dc Current Gain Hfe:120Hfe; Transistor Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SCR522MT2L
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-723
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage120 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Continuous Collector Current200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product400 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Transition Frequency400 MHz
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