ROHM 2SC5658T2LQ
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-05-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Beschreibungen
Beschreibungen von ROHM 2SC5658T2LQ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5658 Series 50 V 0.15 A SMT NPN General Purpose Small Signal Amplifier- VMT-3
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VMT T/R
TRANSISTOR,NPN,50V,0.15A,VMT3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 180MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 150mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transist
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:50V; Continuous Collector Current:150Ma; Power Dissipation:150Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:180Mhz; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SC5658T2LQ.
Aliasnamen des Herstellers
ROHM verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. ROHM ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-723
Contact PlatingCopper, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current150 mA
Current Rating150 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency180 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency180 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height500 µm
Length1.2 mm
Width800 µm
Datenblätter und Dokumente
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