Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi IRFW530ATM herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRFW530ATM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:14A; On Resistance, Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi IRFW530ATM herunter.