Renesas HFA3096BZ

HFA3096BZ Pent NPN+PNP RF Bipolar Transistor, 0.065 A, 8 V, 16-Pin SOIC
$ 6.23
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Renesas HFA3096BZ herunter.

Integrated Device Technology

Datasheet16 SeitenVor 26 Jahren
Datasheet16 SeitenVor 26 Jahren

IHS

element14 APAC

Upverter

Factory Futures

CAD-Modelle

Modellinformationen
Beschafft vonRenesas
VeröffentlichungsdatumAug 14, 2025
IPC-konformIPC-7351B
Überarbeitung des StyleguidesVersion 1.0 - Nov 1, 2024
DatenblattquelleVersion 16.00 - Jan 24, 2019
Verifizierung

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-68.60%

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8540000000
Introduction Date2018-02-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 months ago)

Verwandte Teile

onsemiMC1413DG
MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
onsemiMC1413BDG
MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
Bipolar Transistors (BJT); MC1413BDR2G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 16; 50 V; 500 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1250mW 16-Pin SOL
onsemiMMPQ2907
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas HFA3096BZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

HFA3096BZ Pent NPN+PNP RF Bipolar Transistor, 0.065 A, 8 V, 16-Pin SOIC
Trans GP BJT NPN/PNP 8V 0.065A 150mW 16-Pin SOIC N Tube
HFA3096 Series 3 NPN/2PNP 150 mW 65 mA UHF Transistor Array - SOIC-16
Renesas Electronics NPN/PNP, SOIC, , 65 mA, -8 V
PB-FREE W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16NSOIC MIL<AZ
Bulk Surface Mount SEPARATE 5ELEMENTS 16 RF Transistor 65mA 150mW 5.5GHz 12V
IC TRANSISTOR ARRAY, ULTRA H FREQ; Module Configuration:Five; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:8V; Transition Frequency Typ ft:8GHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:37mA; DC Current Gain hFE:130; Operating Temperature Range:-55°C to +125°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3096; Digital IC Case Style:SOIC; Gain Bandwidth ft Typ:8GHz; Operating Temperature Max:125°C; Operating Temperature Min:-55°C; Package / Case:SOIC; Termination Type:SMD
Transistor Polarity:npn, Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:8V; Dc Collector Current:37Ma; Power Dissipation Pd:150Mw; Dc Current Gain Hfe:130Hfe; No. Of Pins:16Pins; Transistor Mounting:surface Mount; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • HFA3096BZ.