Optek OPB870T51
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Stock
3,530
1,762
Authorized Distributors
6
3
Sensing Method
-
-
Sensing Distance
3.175 mm
3.175 mm
Termination
-
-
Max Supply Voltage
-
-
Min Supply Voltage
-
-
Response Time
-
15 µs
Min Operating Temperature
-40 °C
-40 °C
Max Operating Temperature
85 °C
85 °C
Output Configuration
Phototransistor
-
Mount
Screw, Through Hole
Screw, Through Hole
Lieferkette
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB870T51, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
890nm Through-Beam 3.18mm 5¦Ìs Phototransistor PCB, 24.61mm*6.35mm*10.8mm
OPTOSWITCH; Sensor Output Type: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel Mount; Gap Width: 3.175mm; Aperture Width: 1.27mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.3V; Product Ran 08F2708
Photo Interrupter, Through Beam, 3.175Mm; Sensing Method:Through Beam; Sensing Distance/Slot Width:3.175Mm; Supply Voltage Min:-; Supply Voltage Max:-; Sensor Case/Package:Module; Collector Emitter Voltage Max:30V; Ip Rating:- Rohs Compliant: Yes |Tt Electronics/optek Technology OPB870T51
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
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Technische Spezifikationen
Physical
MountScrew, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length24.61 mm
Width6.35 mm