Optek OPB811W55Z
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Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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890nm Through-Beam Phototransistor, 9.53mm, Wire Mount/Base Mount 30.99mm × 6.35mm × 10.8mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Optek OPB811W55Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
OPB811W Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
890nm Through-Beam 9.53mm Phototransistor wire mounting，base mount 30.99mm*6.35mm*10.8mm
Slotted Switch, Phototransistor; |Tt Electronics/optek Technology OPB811W55Z
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Wd Gap Opt Switch
9.53 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
Photointerrupter Transmissive 9.53mm Phototransistor 5-Pin Bag
SENSOR, OPTICAL SWITCH, WIDE GAP, 9.53MM SLOT, 890NM, 100 MW, 30 MA
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
WIDE GAP SLOTTED OPTICAL SWTCH
Aliasnamen des Herstellers
Optek verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Optek ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -69.49%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Housing MaterialPlastic
MaterialPlastic
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins5
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance9.525 mm
Wavelength890 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length30.99 mm
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